Diamanti sintetici: nuova frontiera nell’elettronica di potenza. Perché la metrologia su scala nanometrica è cruciale per evitare difetti di crescita

La connessione tra diamante sintetico e produzione di semiconduttori è naturale e sempre più fondamentale. Come evidenziato nel white paper di Sensofar "Semiconductor Manufacturing – End-to-End Metrology Strategies for QC", i processi moderni di produzione di semiconduttori si basano su:

• Substrati ultra-piani e privi di difetti
• Ispezioni superficiali senza contatto a risoluzione nanometrica
• Controllo rigoroso del processo su materiali avanzati

Queste sono esattamente le stesse sfide che si affrontano lavorando con il diamante sintetico.

Infatti, la tecnologia CSI (Coherence Scanning Interferometry) di Sensofar è già utilizzata per:

• Monitorare la morfologia della crescita del diamante
• Valutare la planarità e la rugosità superficiale su scala nanometrica
• Verificare l'uniformità dei substrati in diamante prima dell'integrazione nei chip

Gli strumenti che hanno rivoluzionato la metrologia dei wafer in silicio — S neox, S mart 2 e SensoPRO — si stanno dimostrando altrettanto efficaci con diamante, SiC, GaN e altri semiconduttori di terza generazione