Asylum Research - "Semiconductor Dielectric Material Preparation and Characterization"

Webinar - Presentazione Online

Mercoledì 07 Dicembre 2022 - da 17:00 a 18:00

Nuovo accessorio per il Jupiter XR AFM: nanoTDDB

Nuovo accessorio per il Jupiter XR AFM: nanoTDDB

Data di pubblicazione:

Venerdì 18 Novembre 2022

Abstract

Nel campo della microelettronica, i dispositivi MOSFET (transistore a semiconduttore di ossido di metallo a effetto di campo) utilizzano materiali con strato (gate) ad alta costante dielettrica k, come il biossido di afnio (HfO₂) con una costante dielettrica compresa tra 18 e 25. Può essere richiesto molto tempo per determinare le proprietà elettriche dell'HfO₂, che viene depositato mediante tecniche a film sottili, per esempio con l'Atomic Layer Deposition (ALD). Si rende quindi necessario rilevare la corrente di dispersione e la tensione di rottura dei strati sottili di HfO₂, un possibile collo di bottiglia per il progresso. Il microscopio a forza atomica (AFM) è uno strumento di caratterizzazione basato su sonda in grado di fornire informazioni sulla morfologia, sulle proprietà meccaniche e sulle proprietà elettriche dei campioni. L'AFM per campioni di grandi dimensioni Jupiter XR è in grado di misurare campioni di diametro ≤ 200 mm, fornendo dati ad alta risoluzione e di alta qualità a velocità di imaging elevate. Per le misurazioni elettriche, l'accessorio time-dependent dielectric breakdow su scala nanometrica (nanoTDDB) è utilizzato per valutare le proprietà dei film di HfO₂ preparati tramite ALD.

Ulteriori informazioni sulla modalità nanoTDDB per il microscopio Jupiter XR AFM sono reperibili a questo link: https://afm.oxinst.com/jupiter/nanoTDDB

Le Biografie dei relatori del webinar

La dott.ssa Agnieszka Kurek ha conseguito un dottorato di ricerca in chimica presso la Carleton University, dove i suoi studi si sono concentrati sulla sintesi dei precursori e sullo sviluppo del processo per la deposizione di strati atomici (ALD). Agnieszka lavora con Oxford Instruments Plasma Technology da oltre sei anni allo sviluppo di processi ALD basati su applicazioni. Ora è a capo di un team di application engineers su un'ampia gamma di tecnologie di deposizione al plasma, tra cui ALD, ICPCVD, PECVD e deposizione IBD.

Marta Kocun ha conseguito un dottorato di ricerca in biofisica presso l'Università di Goettingen; i suoi studi si sono concentrati sulle proprietà meccaniche delle membrane, misurate utilizzando l'AFM. È in Oxford Instruments Asylum Research da oltre nove anni, lavorando allo sviluppo di modalità AFM e, più recentemente, nel ruolo di Product Marketing Manager per l'AFM di grandi campioni di Jupiter XR.

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